| Materiaal | SiO2 |
|---|---|
| Hardheid | morse 6,5 |
| Het werk temperatuur | 1100℃ |
| Oppervlaktekwaliteit | 20/40 of 40/60 |
| Dieletricsterkte | 250~400Kv/cm |
| Materiaal | SIO2>99,99% |
|---|---|
| Dikte | 2,2 g/cm3 |
| Lichte doorlaatbaarheid | 92% |
| Hardheid | Morse 6.5 |
| Werktemperatuur | 1100 ℃ |
| Type | Heldere kwartsplaat |
|---|---|
| Sollicitatie | Halfgeleider, optisch |
| Dikte | 0,5-100 mm |
| Vorm geven aan | Vierkant |
| Verwerkingsdienst | Buigen, lassen, ponsen, snijden, polijsten |
| Materiaal | SIO2>99.99% |
|---|---|
| Dichtheid | 2.2 (g/cm3) |
| Lichte overbrenging | >92% |
| Hardheid | Morse 6,5 |
| Het werk temperatuur | 1100℃ |
| Materiaal | SiO2 |
|---|---|
| Het werken Temparature | 1200℃ |
| Smeltingspunt | 1850℃ |
| vorm | Vierkant/Ronde/Om het even welke vorm |
| Dikte | 1mm50mm |
| Materiaal | 99.99% |
|---|---|
| Lichte overbrenging | 92% |
| Dichtheid | 2.2g/cm3 |
| Het werken Temparature | 1100℃ |
| Hardheid | Morse 6,5 |
| Materiaal | SiO2 |
|---|---|
| Hardheid | Morse 6,5 |
| Het werk temperatuur | 1100℃ |
| Oppervlaktekwaliteit | 20/40 of 40/60 |
| Dieletricsterkte | 250~400Kv/cm |
| Materiaal | 99.99% |
|---|---|
| Lichte overbrenging | 92% |
| Dichtheid | 2.2g/cm3 |
| Het werken Temparature | 1100℃ |
| Hardheid | Morse 6,5 |
| Materiaal | SiO2 |
|---|---|
| Hardheid | Morse 6,5 |
| Het werk temperatuur | 1100℃ |
| Oppervlaktekwaliteit | 20/40 of 40/60 |
| Dieletricsterkte | 250~400Kv/cm |
| Materiaal | SiO2 |
|---|---|
| Hardheid | Morse 6,5 |
| Het werk temperatuur | 1100℃ |
| Oppervlaktekwaliteit | 20/40 of 40/60 |
| Dieletricsterkte | 250~400Kv/cm |