| Naam | Kwarts glazen buis |
|---|---|
| Sollicitatie | Bronnen, Halfgeleider |
| Materiaal | SIO2>99,99% |
| Voorzien zijn van | Goede elektrische isolatie |
| Lichtdoorlatendheid | >92% |
| Naam | Kwarts glazen buis |
|---|---|
| Sollicitatie | Bronnen, Halfgeleider |
| Materiaal | SIO2>99,99% |
| Voorzien zijn van | Goede elektrische isolatie |
| Lichtdoorlatendheid | >92% |
| Naam | Kwarts glazen buis |
|---|---|
| Sollicitatie | Bronnen, Halfgeleider |
| Materiaal | SIO2>99,99% |
| Voorzien zijn van | Goede elektrische isolatie |
| Lichtdoorlatendheid | >92% |
| Productnaam | de plaat van het kwartsglas |
|---|---|
| Materiaal | 99.99% |
| Lichte Overbrenging | 92% |
| Dichtheid | 2,2 g/cm3 |
| Het werken Temparature | 1100℃ |
| Naam | Kwartsglazen buis |
|---|---|
| Toepassing | Bronnen, Halfgeleider |
| Materiaal | SIO2>99.99% |
| Eigenschap | Goede Elektroisolatie |
| Lichte Overbrenging | >92% |
| Naam | Kwartsglazen buis |
|---|---|
| Toepassing | Bronnen, Halfgeleider |
| Materiaal | SIO2>99.99% |
| Eigenschap | Goede Elektroisolatie |
| Lichte Overbrenging | >92% |
| Naam van het product | de staaf van het kwartsglas |
|---|---|
| Materiaal | SIO2>99.99% |
| Dichtheid | 2.2g/cm3 |
| Lichte Transimittance | 92% |
| Hardheid | morse 6,5 |
| Product Name | De plaat van het kwartsglas |
|---|---|
| Materiaal | Sio2> 99,99% |
| Dichtheid | 2.2 g/cm3 |
| Lichte Transimittance | 92% |
| Hardheid | morse 6,5 |
| naam | Kwartsglasreactor |
|---|---|
| Materiaal | gesmolten silicium |
| Werktemperatuur | 1100°C |
| Zure tolerantie | 30 keer dan keramiek |
| Hardheid | morse 6,5 |
| Product Name | De plaat van het kwartsglas |
|---|---|
| Materiaal | Sio2> 99,99% |
| Dichtheid | 2.2 g/cm3 |
| Lichte Transimittance | 92% |
| Hardheid | morse 6,5 |