| Naam | De hoge Transparante van het Laserboring en Ponsen Staaf van het Kwartsglas |
|---|---|
| Sollicitatie | Bronnen, Halfgeleider |
| Materiaal | Sio2>99.99% |
| Voorzien zijn van | Goede Elektroisolatie |
| Lichte overbrenging | >92% |
| Naam | Het Een gat maken in van Rod Semiconductor Quartz With van het kwartsglas |
|---|---|
| Sollicitatie | Bronnen, Halfgeleider |
| Materiaal | Sio2>99.99% |
| Voorzien zijn van | Goede Elektroisolatie |
| Lichte overbrenging | >92% |
| Naam | Kwartsglazen buis |
|---|---|
| Eigenschap | Hoge Lichte Overbrenging |
| Gebruik | Optisch Instrument |
| OD | 3300mm |
| Lichte Overbrenging | >92% |
| Naam | Kwartsglazen buis |
|---|---|
| Toepassing | Bronnen, Halfgeleider |
| Materiaal | SIO2>99.99% |
| Kenmerken | Goede Elektroisolatie |
| Lichtdoorstraling | > 92% |
| Naam | Kwartsglazen buis |
|---|---|
| Toepassing | Bronnen, Halfgeleider |
| Materiaal | SIO2>99.99% |
| Kenmerken | Goede Elektroisolatie |
| Lichtdoorstraling | > 92% |
| Naam | Kwartsglazen buis |
|---|---|
| Toepassing | Bronnen, Halfgeleider |
| Materiaal | SIO2>99.99% |
| Kenmerken | Goede Elektroisolatie |
| Lichtdoorstraling | > 92% |
| Naam | Kwartsglazen buis |
|---|---|
| Toepassing | Bronnen, Halfgeleider |
| Materiaal | SIO2>99.99% |
| Kenmerken | Goede Elektroisolatie |
| Lichtdoorstraling | > 92% |
| Sleutelwoord | Het Glaswerk van het wetenschapslaboratorium |
|---|---|
| Naam | procesglas lab aangepast kwartsinstrument |
| Materiaal | gesmolten silicium |
| Werktemperatuur | 1100℃ |
| Zure tolerantie | 30 keer dan keramiek |
| Sleutelwoord | Het Glaswerk van het wetenschapslaboratorium |
|---|---|
| Naam | procesglas lab aangepast kwartsinstrument |
| Materiaal | gesmolten silicium |
| Werktemperatuur | 1100℃ |
| Zure tolerantie | 30 keer dan keramiek |
| naam | Kwartsglazen buis |
|---|---|
| Toepassing | Bronnen, Halfgeleider |
| Materiaal | Sio2> 99,99% |
| Feature | Goede Elektroisolatie |
| Lichtdoorlatendheid | > 92% |